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陈星弼院士逝世,曾入选ISPSD首届名人堂

中国百姓新闻网

2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。

陈星弼院士逝世,曾入选ISPSD首届名人堂

陈星弼院士

陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”,其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

据中科院网站资料,陈星弼是半导体器件及微电子学专家。原籍浙江浦江,1931年1月28日生于上海。1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。1999年当选为中国科学院院士。

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